Silicon Carbide Cantilever Paddle

Silicon Carbide Cantilever Paddle ke karolo e phahameng ea indasteri e thehiloeng ho theknoloji ea Reaction Bonded SiC (RBSiC). E etselitsoe maemo a thata a kang semiconductor wafer processing, photovoltaic cell coating le mocheso o phahameng oa mouoane oa lik'hemik'hale (CVD). Sebopeho sa eona se ikhethang sa letsoho le le leng la cantilever, se kopantsoeng le litšobotsi tse feteletseng tsa ho hanyetsa tsa silicon carbide, li ntse li ka boloka ho nepahala ha boemo ba millimeter sebakeng sa mocheso o phahameng oa 1350 ℃, ho fetoha tharollo ea phetoho ea ho nkela quartz ea setso, lisebelisoa tsa tšepe le lisebelisoa tse ling.

Katleho ea lintho tse bonahalang: Ho tsosolosoa ha boenjiniere ba silicon carbide

1. Micro mohlolo oa karabelo sintering tshebetso

Hoo e ka bang karolo ea 10-15% ea silicon e sa lefelloeng e thehoa moeling oa lijo-thollo oa cantilever paddle ka mokhoa oa ho arabela oa sintering ea silicon e qhibilihisang e kenang ka har'a sic preform, e etsa sebopeho sa li-interlock tse tharo. Microstructure ena e e fa boima ba 3.02 g/cm³, porosity e ka tlase ho 0.1%, le matla a ho kobeha a fihlang ho 250 MPa (20 ℃) ​​ha e ntse e boloka boima bo bobebe (40% ka tlase ho tšepe e sa hloekang), ha e ntse e boloka modulus ea elastic ea 300 GPa esita le ho 120 ℃0.

2. Tekanyo ea ho qetela ea litekanyetso tsa thermodynamic

Thermal expansion coefficient (CTE) ea cantilever e laoloa ka nepo ho 4.5 × 10-6K-1, e ts'oanang haholo le thepa ea ho roala ea LPCVD (khatello e tlaase ea lik'hemik'hale tsa Vapor deposition) ho fokotsa khatello ea maikutlo e bakoang ke ho se lumellane ha mocheso. Thermal conductivity ea eona e fihla ho 45 W/(m·K) ho 1200 ℃, e ka kolobisang mocheso kapele le ho qoba ho futhumala ha lehae, 'me ka moralo o nang le tokelo ea molao oa lekhalo la lesoba la mocheso, phapang ea mocheso oa terei ea wafer e ka tlase ho 2℃/m²

Molemo oa tekheniki: Ho tlola ho tloha laboratoring ho ea ho tlhahiso ea bongata

1. Moralo o ikamahanyang le maemo

Sebaka sa mojaro sa seketsoana sa cantilever se nka sebopeho sa lifensetere se tloaelehileng (ho nepahala ha lesoba ± 0.05mm), se ts'ehetsang tsamaiso ea likhokahano ea 12-axis e nang le liphaephe tsa 150-300mm mme e tsamaellana le letsoho la roboto. Lipheletso tse tsitsitseng li fanoe ka botenya ba lebota la gradient (δ₁=8.6mm ho δ₁ 4.8mm) ho netefatsa ho tiea ha moralo le ho fokotsa boima ba kakaretso ka 22% ho ₃ ho finyella litlhoko tse tsitsitseng tsa botsitso phetisong ea lebelo le phahameng.

2. Phetohelo taolong ea tšilafalo

Ka tlhahiso ea in-situ ea 2-5μm SiO₂ passivation layer holim'a metsi, lehare la cantilever sepakapakeng se senyang se nang le Cl₂, HF, pula ea ion ea tšepe e ka tlase ho 0.1 ppb, e leng litaelo tse 3 tsa boholo bo tlase ho feta lisebelisoa tsa alumina. Kamora liteko tsa potoloho ea mocheso o phahameng oa 1000, palo ea likaroloana tse oelang holim'a metsi e lula e le tlase ho 5 / m2, e kopanang le litlhoko tsa bohloeki tsa Sehlopha sa 10 tsa tlhahiso ea semiconductor.

Boitsebiso bo potlakileng:

1. Mabitso a mang: Seketsoana sa phetisetso ea mocheso o phahameng oa mocheso; RBSiC cantilever koloi; Sethala sa cantilever se koahetsoeng; SiC Monolithic Cantilever.

2. Kopo: 

Ho etsa li-Semiconductor: Liphaphatha tsa lipalangoang ka har'a libopi tse pharalletseng, libopi tse anealing, libopi tsa oxidation le lisebelisoa tse ling.

Ho roala ha Photovoltaic: Ts'ehetsa TOPCon/HJT cell PECVD ts'ebetso ea lipalangoang,

3. Mekhahlelo ea mantlha: Matla a ho khumama ke 380 MPa (mocheso oa kamore) → 280 MPa (1400℃), coefficient ea ho atolosa mocheso ke 4.2 × 10⁻⁶/℃, 'me tekanyo ea ho senyeha ha 40% HF e ka tlase ho 0.008 mm / selemo. Sepakapaka se sa sebetseng 1600 ℃ ts'ebeliso e tsoelang pele, tikoloho ea oxidation 1400 ℃, tšehetso ea 1400 ℃↔25 ℃ potoloho ea mocheso oa mocheso makhetlo a 500.

Ho etsoa ha semiconductor wafer

Rakha ea sekoahelo sa sebōpi: Ts'ebetsong ea phosphorus/boron doping, sephaphatha sa silicon sa 300mm se kentsoe mocheso oa lihora tse 1250 ℃/8, 'me sebopeho sa sebopeho se ka tlase ho 0.1mm/m.

Terei ea ho hōla ha Epitaxial: Bakeng sa ho behoa ha MOCVD ea SiC epitaxial layers, ho tšehetsa boemo ba nanoscale ba li-wafers tlas'a 10-6 Torr vacuum.

Tlhahiso ea lisele tsa photovoltaic

Koloi e koahelang PERC: e tlas'a 800 ℃ plasma bombardment ka thepa ea PECVD, bophelo ba tšebeletso ea makhetlo a fetang 5000, makhetlo a 8 a phahameng ho feta thepa ea graphite.

TOPCon Laser sintering: Ka sistimi ea laser e nang le bophara ba pulse ea 10ns, ho nepahala ho khethollang ha sintering ea mokokotlo oa polycrystalline silicon lera e fihlelleha ka ± 3μm.

1. Katleho e senyang linthong tse bonahalang

Silicon carbide cantilever propeller e nka theknoloji e sebetsang ea sintering silicon carbide (RBSiC), 'me e kenella ka har'a silicon carbide matrix ka silicon e qhibilihisa ho fihlela sebopeho se teteaneng ka porosity <0.5%. Matla a eona a ho kobeha a ka holimo ho 380 MPa (mocheso oa kamore), 'me e ntse e boloka matla a 280 MPa mocheso o phahameng oa 1400℃.

2. Ho tsitsa maemong a feteletseng

Ho hanyetsa mocheso o phahameng: mocheso o tsoelang pele oa ho sebetsa ho fihlela ho 1600 ℃ (sepakapaka sa inert), ho hanyetsa nako e khutšoanyane ho 1800 ℃ mocheso o phahameng oa hang-hang (joalo ka mokhoa oa laser sintering), ha ho na kotsi ea ho nolofatsa kapa ho senyeha.

Corrosion resistance: Sekhahla sa kutu ea li-acid tse matla tse kang HF, HCl, le H₂SO₄ <0.01 mm/ selemo. Nako ea bophelo ka likamoreng tsa karabelo tsa CVD tse nang le Cl₂/O₂ e eketsehile linako tsa 5-8 ha e bapisoa le lisebelisoa tsa graphite.

Thermal shock resistance: Tšehetsa 1400℃ ↔ 25℃ potoloho ea phetoho e potlakileng ea mocheso (ΔT=1375℃), ha ho ho phunyeha kapa ho fokotsa matla ka mor'a potoloho ea 500.