Poleiti ea ho Potoloha ea TaC Coating

Poleiti ea ho Potoloha ea TaC Coating ke karolo ea bohlokoa e potolohang e entsoeng bakeng sa lits'ebetso tse tsoetseng pele tsa semiconductor tse sebetsang tlas'a maemo a feteletseng a mocheso, lik'hemik'hale le mechini. Ho Semixlab, sehlahisoa sena se sebelisoa ka ho khetheha libakeng tsa kholo ea epitaxial ea mocheso o phahameng le ts'ebetso ea mocheso bakeng sa li-semiconductor, moo botsitso ba nako e telele, ho tšoana ha ts'ebetso, le taolo ea tšilafalo e leng lintho tsa bohlokoa tse khethollang chai le botsitso ba sesebelisoa.

Khōlong ea MOCVD epitaxial, haholo-holo bakeng sa li-semiconductor tsa metsoako ea GaN le III-V, Poleiti ea Potoloho ea MOCVD e sebetsa e le karolo ea bohlokoa ea sistimi ea taolo ea mocheso le phallo ea reactor. Ka ho nolofalletsa taolo e tsitsitseng le e nepahetseng ea ho potoloha nakong ea ho beha, e thusa karolelano ea li-gradients tsa mocheso oa radial le liphetoho tsa mahloriso a khase ho pholletsa le bokaholimo ba wafer. Seaparo se teteaneng sa tantalum carbide (TaC) se netefatsa mamello e ikhethang ho tikoloho e ruileng ka hydrogen le ea metalorganic precursor ha e ntse e boloka botšepehi ba bokaholimo mochesong o fetang meeli ea ts'ebetso ea likarolo tsa setso tsa SiC kapa graphite. Sena se tlatsetsa ka kotloloho ho ntlafatseng ho lekana ha botenya, ho fokotseha ha sekoli, le ho ntlafala ha ho pheta-phetoa ha sehlopha ho ea ho sehlopha.

Bakeng sa kgolo ya SiC epitaxial hodima di-substrate tsa 4H-SiC le 6H-SiC, Tantalum Carbide Coating Rotation Plate e ba bohlokwa le ho feta ka lebaka la mocheso o phahameng wa tshebetso le maemo a matla a dikhemikhale. Tikolohong ena, di-reactor tsa SiC epitaxial di hloka thepa e kgonang ho mamella ho pepesehela nako e telele sepakapakeng sa haedrojene se nang le mocheso o phahameng ntle le ho senyeha ha ho kwahela, tlhahiso ya dikarolwana, kapa tšilafalo ya substrate. Sebaka se phahameng sa ho qhibiliha sa TaC (3880°C), kgatello e tlase ya mouwane, le ho se sebetse hantle ha dikhemikhale ho ikhethang di fana ka thibelo e matla ya tshireletso e fokotsang kgoholeho ya ho kwahela le ho thibela ho hasana ha ditshila ho tswa ho di-substrate kapa di-substrate.

Litsamaisong tsa ho futhumatsa tse nang le mocheso o phahameng, kalafo ea mocheso, le lits'ebetsong tse ts'oanang tsa ho potoloha ha mocheso, Tantalum Carbide Coating Rotation Plate e sebetsa e le sebopeho se tsitsitseng sa mechini le mocheso, e netefatsang motsamao o boreleli oa ho potoloha le kabo e tsitsitseng ea mocheso. Ho tsitsa ho hoholo le botsitso ba mocheso ba bokaholimo ba Tantalum Carbide (TaC) ho thusa ho tsitsisa phetiso ea mocheso o nang le mahlaseli a letsatsi, ho fokotsa libaka tse chesang tsa lehae le khatello ea mocheso. Ho tsoa ho ts'epahalo ea ts'ebetso le litšenyehelo tsohle tsa beng, Li-Disk tsa Semixlab tsa TaC Coating Rotation li entsoe ho fihlela litlhoko tsa tlhahiso ea fab ea wafer e phahameng. Ts'ebetso e ntlafalitsoeng ea ho roala ea TaC e fihlella bongata bo phahameng le ho khomarela ho matla, e fokotsa haholo likotsi tsa mapetso a manyane, ho arohana ha ho roala, le tšilafalo ea likaroloana. Ha ho bapisoa le li-coating tse tloaelehileng, bophelo bo bolelele ba ts'ebeletso bo fokotsa makhetlo a tlhokomelo le nako ea ho phomola e sa reroang.

Jwalo ka moetsi ya ka sehloohong wa China le fektheri e matla ya TaC Coating Rotation Plates, e sebedisa tsebo e ikgethang ya thuto ya Semixlab le boitseanape ba botekgeniki disebedisweng tse tswetseng pele tsa letsopa le mekgwa ya ho roala ya semiconductor, Dipoleiti tsa rona tsa Tantalum Carbide Coating Rotation Plates di fetohile tharollo e pakilweng bakeng sa mekgwa ya semiconductor MOCVD, mekgwa ya kgolo ya SiC epitaxial, le mekgwa ya mocheso o phahameng, e fanang ka tshebetso e ka lebellwang haholoanyane ya nako e telele bakeng sa di-fabs. Habohlokoa le ho feta, Semixlab e ntse e ikemiseditse ho fana ka tataiso e tswetseng pele ya botekgeniki le ditharollo tse ikgethileng bakeng sa tshimo ya semiconductor epitaxy. Re labalabela ka tieo ho ba molekane wa hao wa nako e telele Chaena.