Disk ea Graphite ea lisenthimithara tse 8 bakeng sa SiC Epitaxy

Disk ea Graphite ea lisenthimithara tse 8 bakeng sa SiC Epitaxy e etselitsoe ho fana ka tšehetso e tsitsitseng, e ka phetoang bakeng sa kholo ea epitaxial ea silicon carbide ho li-wafer tse bophara bo boholo. Ha lits'ebetso tsa epitaxy ea silicon carbide li fetoha ho tloha tlhahisong ea lisenthimithara tse 6 ho ea ho lisenthimithara tse 8, ho tšoana ha tšimo ea mocheso le botsitso ba sebopeho sa tšehetso ea wafer li ntse li ba bohlokoa haholo. Disk ena ea graphite ke karolo ea bohlokoa ea sistimi ea taolo ea mocheso ea reactor, e fanang ka tikoloho ea mocheso e laoloang le e ts'oanang e amang ka kotloloho ho tšoana ha botenya ba lera la epitaxial, kabo ea dopant, le ho pheta-pheta ha ts'ebetso ka kakaretso.

E entsoe ka graphite e nang le bohloeki bo phahameng, thepa ena e khethiloe ka lebaka la ho tsamaisa mocheso ka mokhoa o ikhethang, thepa ea 'mele ea isotropic, le litaba tse tlase tsa ho se hloeke. Sebopeho sa isostatic se netefatsa ho ba le bongata bo tsitsitseng le karabelo ea mocheso ho pholletsa le sebaka sohle sa bophara ba lisenthimithara tse 8, ho fokotsa li-gradients tsa mocheso oa radial le phetoho ea mechini nakong ea ts'ebetso e tsoelang pele ea mocheso o phahameng. Lits'ebetsong tse tloaelehileng tsa SiC CVD le MOCVD, moo mocheso oa kholo o atisang ho feta 1600°C le potoloho e potlakileng ea mocheso e tloaelehileng, disc ea graphite e boloka ho ba bataletse le botsitso ba litekanyo. Sena se nolofalletsa ho beha wafer ka mokhoa o tšepahalang le phetisetso e ts'oanang ea mocheso ho pholletsa le potoloho ea epitaxial.

Ho ya ka pono ya tshebetso, disk ya graphite ya di-inch tse 8 e bapala karolo ya bohlokwa ho hlaloseng maemo a moedi wa mocheso sebopehong sa wafer-substrate. Ka ho fana ka phallo ya mocheso e ka lebelloang le e tshwanang, e thusa ho thibela ditlamorao tsa ho kgutlela ha bohale, e fokotsa diphoso tse bakwang ke kgatello ya maikutlo, mme e nolofalletsa taolo e tiileng hodima botenya ba lera la epitaxial ho pholletsa le bokahodimo bohle ba wafer. Bohlweki bo phahameng ba substrate ya graphite bo fokotsa haholo dikotsi tsa tshilafatso ya tshepe le ho kenngwa ha ditshila tsa bokamorao, e leng ntho ya bohlokwa bakeng sa epitaxy ya SiC ya disebediswa tsa motlakase e hlokang bongata bo tlase ba diphoso le botsitso bo phahameng ba motlakase.

Jwalo ka moetsi ya ka sehloohong wa China le mofani wa dikarolo tsa epitaxial, Semixlab's 8-inch Graphite Disk bakeng sa SiC Epitaxy e entswe ka ho kgetheha bakeng sa ditikoloho tse hlokang tlhahiso ya SiC epitaxial. Ka ho kopanya graphite e nang le bohloeki bo hodimo le ho sebetsa ka nepo le taolo e matla ya boleng, sehlahiswa sena se fana ka botsitso, bohloeki le ho phetwa ho hlokahalang bakeng sa epitaxy ya SiC ya 8-inch e nang le bophahamo bo hodimo. Sena se eketsa sekgahla sa tlhahiso, se eketsa nako ya ho sebetsa ha disebediswa, mme se fokotsa ditjeo tsohle tsa beng. Ka nako e le nngwe, Semixlab e ntse e ikemiseditse ho fana ka ditshebeletso tse etellang pele tsa boeletsi ba tekheniki le ditharollo tsa dihlahiswa tse ikgethileng. Re labalabela ka tieo ho ba molekane wa hao wa nako e telele Chaena.