Likarolo tsa graphite tse koahetsoeng ke SiC

Likarolo tsa graphite tse koahetsoeng ke SiC tse nang le halofo ea khoeli ke likarolo tsa bohlokoa tse sebelisoang haholo lits'ebetsong tse tsoetseng pele tsa silicon epitaxy le silicon carbide (SiC) epitaxy. Ka har'a li-reactor tsa epitaxial, likarolo tsena li sebetsa e le sebopeho, sebopeho sa phallo ea khase, le likarolo tse sireletsang, tse amang ka kotloloho ho ts'oana ha filimi, litšobotsi tsa moeli, le botsitso ba ts'ebetso ea nako e telele. Taolo ea tsona e nepahetseng ea mocheso, botsitso ba lik'hemik'hale, le tšilafalo e tlase haholo li bohlokoa bakeng sa ts'ebetso ea sesebelisoa le chai ea tlhahiso, e leng se etsang hore e be likarolo tsa bohlokoa tsa graphite lits'ebetsong tsa semiconductor epitaxial.

Mekhoa ea epitaxy ea silicon le silicon carbide, likarolo tsa graphite tse bōpehileng joaloka khoeli hangata li behiloe haufi le libaka tsa substrate kapa tsa wafer, moo matla a phallo ea khase le maemo a mocheso li leng bonolo haholo. Sebopeho sa khoeli se entsoe ka ho khetheha ho ntlafatsa kabo ea khase ea lehae le ho leka-lekana ha mocheso, ka hona ho fokotsa liphello tsa moeli tse ka lebisang ho liphetoho tsa botenya ba lera la epitaxial, ho feto-fetoha ha mahloriso a doping, kapa liphoso tsa kristale.

Ho ya ka pono ya sebopeho sa thepa, karolo ya graphite e fana ka tsamaiso e ntle ya mocheso le bokgoni ba ho sebetsa, e leng se nolofalletsang ho etswa ha dibopeho tse rarahaneng tsa crescent ho tsamaisana le meralo e ikgethang ya reactor. Ho netefatsa hore e tsamaellana le ditikoloho tse senyang tsa epitaxial, bokahodimo ba graphite bo kwahetswe ka lera le teteaneng la silicon carbide e hlwekileng haholo (SiC). Seaparo sena sa SiC se sebetsa e le thibelo e sa senyeheng ka dikhemikhale, e bontshang kganyetso e ikgethang ya ho bola kgahlanong le haeterojene, HCl, le dikhase tse thehilweng hodima silicon tse sebediswang haholo ditshebetsong tsa epitaxial. Ka lebaka leo, karolo e boloka botsitso ba sebopeho le botsitso ba bokahodimo nakong ya tshebetso e telele ya mocheso o phahameng (hangata e fetang 1500°C ho epitaxy ya SiC).

Ho ya ka pono ya taolo ya tšilafalo, dikarolo tsa graphite tse manehilweng ka SiC tse nang le halofo ya kgwedi di bapala karolo ya bohlokwa ho bolokeng tikoloho e hlwekileng ya tshebetso. Seaparo sa SiC se thibela tlhahiso ya dikarolwana tsa graphite ka katleho mme se thibela ho lokollwa kapa ho monngwa ha ditshila tsa tshepe, se thusa di-fab ho fihlela ditlhoko tse thata tsa dikarolwana le bohloeki. Sena se bohlokwa haholo ho SiC epitaxy, moo esita le tšilafalo e nyane e senyang boleng ba kristale ya epitaxial.

Ha ho bapisoa le graphite e sa koaheloang kapa thepa e 'ngoe, likarolo tsa graphite tse koahetsoeng ka halofo ea khoeli tse nang le SiC li fumana tekano e ntle pakeng tsa ho tšoarella, ts'ebetso ea mocheso, le katleho ea litšenyehelo. Bophelo ba tsona bo bolelele bo fokotsa makhetlo a tlhokomelo le nako ea ho se sebetse ha kamore, ha litšobotsi tse tsitsitseng tsa bokaholimo li tlatsetsa ts'ebetsong e tsitsitseng ea batch-to-batch. Melemo ena e etsa hore e be likarolo tse ka sebelisoang haholo meleng ea tlhahiso ea Si/SiC epitaxial ea bophahamo bo phahameng.

Jwalo ka moetsi ya ka sehloohong wa China le mofani wa dikarolo tsa tshebetso ya epitaxial ya semiconductor, Semixlab e fana ka boeletsi bo tswetseng pele ba tekheniki le ditharollo tsa dihlahiswa tse ikgethileng ho bareki ba indasteri. Re matlafatsa bahlahisi ba di-semiconductor ho fihlella chai e phahameng, ho ntlafala ha tshebetso, le ho tshepahala ha disebediswa ka nako e telele nakong yohle ya kgolo ya epitaxial. Re labalabela ka tieo ho ba molekane wa hao wa nako e telele Chaena.